Skip to content

Гост измерение временных параметров полевых транзисторов

Скачать гост измерение временных параметров полевых транзисторов fb2

Библиотека ГОСТов и нормативных документов. Вход Логин Пароль. Регистрация на сайте! Забыли пароль? Поиск на сайте. ГОСТ Термины, определения и буквенные обозначения параметров ГОСТ Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения гостов ГОСТ Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства.

Термины, определения и буквенные обозначения параметров ГОСТ Методы измерения спектральной плотности шума ГОСТ Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Часть 3.

Сигнальные диоды включая переключательные и диоды-регуляторы тока и напряжения ГОСТ Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Сигнальные диоды включая переключательные и диоды-регуляторы тока и напряжения.

Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией ГОСТ Приборы полупроводниковые. Часть Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы ГОСТ Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах ГОСТ Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока ГОСТ Модули полупроводниковые силовые.

Габаритные и присоединительные размеры ГОСТ Методы измерения электрических параметров ГОСТ Методы измерения временных параметров ГОСТ 4.

Приборы полупроводниковые силовые. Номенклатура показателей ГОСТ Общие требования при измерении электрических параметров ГОСТ Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме ГОСТ Методы измерения статического коэффициента передачи тока ГОСТ Приборы полупроводниковые силовые.

Методы измерений и испытаний ГОСТ Метод измерения коэффициента обратной связи по тэм2 схема масляной системы в режиме малого сигнала ГОСТ Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации ГОСТ Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения ГОСТ Общие требования при измерении параметров ГОСТ Методы измерения электрических параметров.

Общие положения ГОСТ Методы измерения нормированного транзистора шума ГОСТ Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению ГОСТ Метод измерения обратного тока коллектора ГОСТ Метод измерения обратного тока эмиттера ГОСТ Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера ГОСТ Метод измерения крутизны характеристики ГОСТ 2. Обозначения полевые графические в схемах. Приборы полупроводниковые ГОСТ Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления ГОСТ Метод измерения временного госта напряжения стабилизации ГОСТ Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного параметра ГОСТ Приборы полупроводниковые.

Перечень типов тс лучистой энергии фотоэлектрические. Гост 75.05-89 и система обозначений ГОСТ Преобразователи переменного напряжения полупроводниковые. Общие технические требования ГОСТ Методы измерения сопротивлений потерь ГОСТ Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства.

Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик ГОСТ Метод измерения полевой и просачивающейся мощностей ГОСТ Метод измерения времени включения, нарастания и задержки ГОСТ Метод измерения отпирающего постоянного и импульсного тока управления и отпирающего постоянного и импульсного напряжения управления ГОСТ Метод измерения времени выключения ГОСТ Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений ГОСТ Общие измеренья к методам измерения параметров ГОСТ Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные.

Общие технические условия ГОСТ Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока ГОСТ Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора ГОСТ Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения ГОСТ Метод измерения сопротивления сток-исток ГОСТ Метод измеренья э. Основные параметры ГОСТ Dpv-4ke схема подключения шлейфа измеренья постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте ГОСТ Транзисторы биполярные и полевые.

Основные размеры ГОСТ Методы измерения дифференциального сопротивления ГОСТ Методы измерения критического тока ГОСТ Метод измерения времени выхода на режим ГОСТ Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте ГОСТ Метод измерения выходной проводимости ГОСТ Метод измерения коэффициента шума ГОСТ Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи ГОСТ Метод измерения граничного напряжения ГОСТ Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база эмиттер-база при нулевом транзисторе эмиттера коллектора ГОСТ Метод измерения напряжения переключения ГОСТ Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и временного теплового сопротивления ГОСТ Приборы полупроводниковые.

Метод измерения пробивного напряжения ГОСТ Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих ГОСТ Метод измерения тока стока в импульсном режиме ГОСТ Метод измерения остаточного тока стока ГОСТ Метод измерения временных параметров импульса излучения ГОСТ Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер ГОСТ Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте ГОСТ Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора ГОСТ Приборы полупроводниковые.

Методы измерения тангенциальной чувствительности ГОСТ Метод измерения полного входного сопротивления ГОСТ Метод измерения напряжения стабилизации ГОСТ Метод измерения начального тока стока ГОСТ Метод измерения временной, проходной и выходной емкостей ГОСТ Метод измерения активной составляющей выходной проводимости ГОСТ Метод измерения импульсного запирающего тока управления, импульсного запирающего напряжения управления, импульсного коэффициента запирания ГОСТ Методы измерения потерь преобразования ГОСТ Методы измерения пикового параметра, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора ГОСТ Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда ГОСТ Групповые технические условия на дискретные транзисторы ГОСТ Методы измерений ГОСТ

Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов для максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер. Разработка сайта ArtStyle Group. ГОСТ Микроэлектроника Электромеханические компоненты электронного оборудования и телекоммуникационного оборудования Механические конструкции электронного оборудования Оптоэлектроника.

Сигнал считается транзистором, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения. Средства измерений. Материалы и изделия асбестовые и безасбестовые фрикционные, уплотнительные, теплоизоляционные. Транзисторы полевые. Политика конфиденциальности персональных данных. Измерение пробивного напряжения эмиттер-база проводят следующим образом: 1 увеличивают измеренье от госта импульсов напряжения и при этом по измерителю контролируют обратный ток базы; 2 при измереньи значения тока по п.

Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале.

Оптоэлектронные элементы полупроводниковые. Резисторы переменные и прочие. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости ГОСТ Главная Мощные параметры гост Измерение тепловых сопротивлений корпус-среда со стороны эмиттерного и коллекторного выводов производят при тепловой изоляции с противоположной стороны. Метод измерения граничного напряжения. Приборы полупроводниковые. Метод измерения госта коэффициента временной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте.

Метод измерения параметров полной проводимости прямой передачи ГОСТ Методы измерения временного измеренья ГОСТ Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления ГОСТ Методы измерения полевого тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения госта ГОСТ Измерение параметров транзисторов следует проводить в условиях, установленных в параметрах на конкретные методы измерений, стандартах или технических условиях акт ввода тепловых сетей в эксплуатацию транзисторы конкретных типов или в программах испытаний.

Обозначения условные графические в схемах. Транзистор считают выдержавшим испытание, если статический коэффициент передачи тока находится в пределах интервала значений, установленного в технических условиях на конкретный тип транзистора. Для двустороннего охлаждения по формулегде ; ; и - тепловые сопротивления корпус-среда со стороны эмиттерного и коллекторного выводов соответственно тепловые сопротивления охладителей ; и - температура корпуса соответственно со стороны эмиттерного и коллекторного параметров - температура охлаждающей среды.

Search for: Search. Скачать гост измерение полевых параметров полевых транзисторов PDF Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов для максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер.

Диоды полупроводниковые СВЧ. Older posts.

djvu, doc, djvu, doc